পাওয়ার ট্রান্সফর্মারগুলির বিকাশের ইতিহাস
1882 সালে, গলার্ড এবং গিবসের এসি পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেম যুক্তরাজ্যে পেটেন্ট করা হয়েছিল। তারা ভোল্টেজ বাড়াতে এবং হ্রাস করতে "দ্বিতীয় জেনারেটর" (একটি ওপেন কোর, ট্রান্সফর্মারের পূর্বসূরী) নামে একটি ডিভাইস ব্যবহার করেছিল।
কোর কলামের বাইরে উইন্ডিং সহ প্রথম বদ্ধ কোর ট্রান্সফর্মারটি এম। ডেরি, ও ব্লাথি এবং কে। জিপারনভস্কি 16 সেপ্টেম্বর, 1884 সালে হাঙ্গেরির গ্যাঞ্জ কারখানায় তৈরি করেছিলেন। এই ট্রান্সফর্মার একটি ছিলএকক-পর্যায়ের পাওয়ার ট্রান্সফর্মার1400VA এর ক্ষমতা সহ, 120/72V এর একটি ভোল্টেজ অনুপাত এবং 40Hz এর ফ্রিকোয়েন্সি (নীচে চিত্র দেখুন)। "ট্রান্সফর্মার" শব্দটি তাদের পেটেন্ট অ্যাপ্লিকেশনটিতে প্রথমবারের জন্য ব্যবহৃত হয়েছিল।
এই ডিভাইসটি 1885 সালে বুদাপেস্ট প্রদর্শনীতে প্রদর্শিত হয়েছিল।
আমেরিকান ওয়েস্টিংহাউস গোনার্ড এবং গিবস থেকে বেশ কয়েকটি এসি ভোল্টেজ রূপান্তর ডিভাইস এবং পেটেন্ট কিনেছিল এবং যন্ত্রপাতি এবং বৈদ্যুতিক নকশাটি নতুন করে ডিজাইন করতে শুরু করে। 1886 সালে, এসি লাইটিং সিস্টেমের জন্য প্রথম ট্রান্সফর্মারটি ব্যবহার করা হয়েছিল এবং সাফল্য অর্জন করেছিল এবং তারপরে এই প্রযুক্তিটি দ্রুত বিকশিত হয়েছিল।
1890 সালে, এইজি (জার্মানির পূর্বে জেনারেল ইলেকট্রিক সংস্থা) এর ডলিভো-ডোব্রোস্কি (মোডোলিভো-ডোব্রোস্কি) আবিষ্কার করেছিলেনথ্রি-ফেজ পাওয়ার ট্রান্সফর্মার.
যেহেতু ট্রান্সফর্মারটি 1886 সালে আলোকসজ্জার জন্য ব্যবহৃত হয়েছিল এবং এটি ব্যবহারিক ব্যবহারে রাখা হয়েছিল, তাই এসি সংক্রমণের ভোল্টেজ এবং ক্ষমতা দ্রুত বৃদ্ধি পেয়েছে। ১৯৪৯ সালে নিউ চীন প্রতিষ্ঠার পরে, জাতীয় অর্থনীতির দ্রুত বিকাশের সাথে সাথে বিদ্যুৎ শিল্পও দ্রুত বিকাশ লাভ করেছে। বিশেষত সংস্কার ও খোলার পর থেকে বিদ্যুৎ শিল্পের বিকাশের গতি আগের চেয়ে দ্রুত ছিল।
| বছর | জেনারেটর ইনস্টল ক্ষমতা/10, 000 কেডব্লিউ | বার্ষিক বিদ্যুৎ উত্পাদন/100 মিলিয়ন কেডব্লিউএইচ | বার্ষিক ট্রান্সফর্মার আউটপুট/10, 000 কেভিএ |
| 1949 | 185 | 43 | 11.9 |
| 1995 | 21724 | 10069 | 13444 |
| 1996 | 23600 | 10794 | 14002 |
| 1997 | 25000 | 11350 | 12446 |
| 2000 | 31932 | 13685 | 18177 |
| 2001 | 33861 | 14839 | 20832 |
বর্তমানে, পাওয়ার ট্রান্সফর্মারের সর্বোচ্চ ভোল্টেজ 1000KV। জিন্দংনান সাবস্টেশনটিতে একটি 3*1000 এমভিএ ট্রান্সফর্মার গ্রুপ ইনস্টল করা আছে।
